调速驱动器(asd)可以是源和电能质量差的受害者。
自闭症谱系障碍受害者加载
尽管自闭症通常被描述为罪魁祸首的PQ的场景中,有可以成为一个受害者加载方式。电容器切换瞬变
高能(相对lowfrequency)瞬变特性的电力电容器切换可以通过服务变压器,喂食器,和直接驱动直流转换器前端连接总线,它经常会导致一个直流环节过电压的旅行。输入这些瞬变二极管也可以吹出。电压畸变
如果高压变形表现为过度的平顶,它将阻止直流环节电容充电完全和减少驱动器的度过能力。因此电压凹陷通常不会影响开车会导致欠压的开车去旅行。不适当的接地
会影响内部控制电路的驱动,从而导致难以预料的结果。自闭症谱系障碍的罪魁祸首加载
开车绝对可以成为一个“罪魁祸首负载”和对系统PQ产生重大影响。但在我们讨论问题之前,让我们美言几句对PQ驱动器的积极作用。首先,他们提供了内置的软启动功能。这意味着没有侵入电流和电压凹陷影响系统的其他部分。其次,如果PWM的驱动器类型,二极管转换器前端,位移功率因数高(一般> 95%额定负载)和或多或少地持续的整个范围。这意味着驱动器可以减少能源使用和对DPF在同一时间。这是一件好事,因为驱动器和PF校正电容器不混合。帽子很容易产生的高频率谐波电流驱动器,因为他们的阻抗随着频率的增加减少。开车的类型对PQ症状产生重大影响,因为不同的转换器设计(转换器或整流器将交流到直流和驱动器的第一阶段)。主要有两种类型的转换器的设计。
可控硅变流器电压源逆变器/可变电压逆变器(VSI / VVI)驱动器
通常称为六驱动器,他们使用(硅整流器控制)在所转换器前端(以下讨论适用于CSI,电流源逆变器驱动,也使用在所)。VSI和CSI驱动器的设计往往是应用于更大的驱动(> 100马力)。可控硅转换器控制的直流环节电压转换(或“闸门”)电流的一部分应用正弦波和关掉zerocrossing点。与二极管,在所要求门发射控制电路。可控硅的转换器,影响线路侧PQ有三个主要问题:
- 整流级。可控硅开关或变换,有短暂的时刻两个阶段都将“。”This causes what is in effect a momentary short circuit that tends to collapse the line voltage. This shows up as "notches" on the voltage waveform. These notches cause both high VTHD and transients. The solution is to place a reactor coil or isolation transformer in series with the drive's front end to clean up both problems.
- 位移功率因数下降驱动速度降低。这并不像听起来那么严重的一个问题,因为drive-motor-load减少的功率要求更多。
- 谐波电流,第五和第七,通常由VSI驱动器。
二极管转换器与脉冲宽度调制(PWM)驱动器
其他更常见的转换器设计使用二极管和用于PWM驱动。二极管不需要切换控制电路。业内的一个主要趋势的扩散PWM驱动器,主要是由于快速交换的持续发展,高效的igbt(绝缘栅双极型晶体管)中使用的逆变器部分驱动(ac逆变器将直流)。实际上,PWM驱动的行业标准。二极管的转换器,主要PQ是谐波问题。实际的谐波订单生成依赖于前端的二极管。对三相转换,最低的一组6个二极管是必需的。这种“six-pulse”转换器将生成第五和第七次谐波。如果12-pulse转换器使用,谐波将生成11 - 13日而不是5日和6日,非常重要的是,同样的负载,11日至13日的振幅会大大低于第5位和第6位。因此,飞将更少。然而,绝大多数的驱动器,是six-pulse PWM的风格,这是一个原因我们看到那么多5对系统谐波。